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      本公司碳化硅系列产品陆续上市
       
      发布日期:2021-4-7 新闻来源:
        

      本公司经过3年的努力,目前以及成功设计制造了多款碳化硅二极管及MOSFET,囊括TO-220,TO-247,TO-252,DFN 3X3,DFN 5X6等多种封装产品,欢迎垂询。更多碳化硅产品还在陆续研发中。
      碳化硅的带隙(band gap)大概是硅材料的3倍,单位面积的阻隔电压大概是7倍,电子迁移率的数值相差不大,热导率大概是3倍,电子漂移速度也大概是2倍。根据这些物理特性的表现,碳化硅可以运行更高的电压,达到更高的效率,使得功率器件满足轻薄短小的要求,同时具备更高的开关频率,从而实现更小的体积。此外,对于设计者和使用者,碳化硅还具有很好的散热性能,使得设计工作变得更加得心应手。

       
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